氮化硅，为III-V族宽禁带III型化合物半导体材料，具有较高的热稳定性和电化学稳定性，热导率甚至比钻石还高，电阻率比氧化铝等材料低，同时硬度也较高，优良的物理性质决定了氮化硅在电子产品制造中有不可替代的地位。在新一代的超高速电子产品中，氮化硅被广泛应用，例如：微波功率器件、射频功率放大器、雷达、卫星通信等等。随着人们对超高速电子产品的需求越来越高，氮化硅的应用市场也不断扩大。
氮化硅的制备主要有分子束外延、气相沉积、金属有机气相沉积、低压化学气相沉积等各种技术，通过不断研发和改进这些技术，不仅可以提高氮化硅制备的效率和质量稳定性，同时也可以降低成本。
未来，氮化硅的应用将会更加广泛，发展趋势更加明显。一方面，人们对超高速电子产品的需求将会越来越高；另一方面，氮化硅的应用还可以延伸到电源电子学、生物医学电子学等领域。氮化硅作为高性能电子产品和新型电子元器件的关键材料，其市场潜力将会不断释放。
